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《文章投稿》單原子催化劑的本征電子結(jié)構(gòu)優(yōu)化工程實現(xiàn)可持續(xù)的氮氣轉(zhuǎn)化為氨

更新時間:2025-05-20      點擊次數(shù):47

1. 文章信息

標(biāo)題:Engineering of local electron properties optimization in single-atom catalysts enabling sustainable photocatalytic conversion of N2 into NH3

中文標(biāo)題:單原子催化劑的本征電子結(jié)構(gòu)優(yōu)化工程,實現(xiàn)可持續(xù)的氮氣轉(zhuǎn)化為氨

頁碼:1-9

DOI:https://doi.org/10.1016/j.cej.2024.150286

2. 文章鏈接

https://www.sciencedirect。。com/science/article/pii/S138589472401773X?via=ihub

3. 期刊信息

期刊名:Chemical Engineering Journal

ISSN:1385-8947

2023年影響因子:15.1

分區(qū)信息:JCR分區(qū):Q1

涉及研究方向:光電催化

4. 作者信息:第一作者是劉天任 張文生。通訊作者為韓冬雪、范英英。

5. 文章所用產(chǎn)品:CEL-HXF300氙燈光源、CEL-GPPCL;

 文章簡介:

氨(NH3)在肥料、藥品、纖維等廣泛應(yīng)用中起著關(guān)鍵作用。哈伯-博施(Haber-Bosch)過程目前是氨生產(chǎn)的主要方法,但其能量需求和消耗較大,造成大量溫室氣體的排放。光催化還原氮反應(yīng)(pNRR)利用太陽能作為主要能源、水作為電子/質(zhì)子供體和半導(dǎo)體作為催化劑,是一種高效節(jié)能的合成氨替代方法。然而,對于合理的催化劑結(jié)構(gòu)設(shè)計和N2光固定體系中N2活化,仍然缺乏內(nèi)在的原子水平的見解。因此,需要一種可靠的方法,在原子水平上集成N2活化機制,以實現(xiàn)令人滿意的性能和穩(wěn)定性,從而顯著促進pNRR活性。

在本工作中,通過溶劑熱法和光沉積法合成了鈀(Pd)單原子修飾的缺陷氧化鉬納米片(簡稱Pd/MoO3-x)。探究了Pd單原子的引入對于催化劑本征電子結(jié)構(gòu)的影響以及對氮氣的吸附和活化機制,實現(xiàn)了溫和條件下的高效氮氣轉(zhuǎn)化為氨。單原子Pd活性位點修飾到MoO3-x表面,能夠顯著削弱吸附的N2的N≡N鍵,并在pNRR過程中有效降低活化能壘。歸其原因為Pd/MoO3-x中的Pd單原子位點在N2自發(fā)吸附過程中起主導(dǎo)作用,并具有顯著的光生電子捕獲能力。同時,Pd單原子的引入,降低了催化劑的功函數(shù),并且使缺陷能級更加靠近帶隙中心,優(yōu)化了MoO3-x本征電子結(jié)構(gòu)。進而可輔助將電子注入N2的反鍵軌道,從而顯著加速反應(yīng)動力學(xué)。因此,Pd/MoO3-x光催化劑的NH3產(chǎn)率達到了103.2 μggcat.-1h-1,較原始的MoO3-x(21.2 μggcat.-1h-1)和商業(yè)MoO3(6.5 μggcat.-1h-1),分別高出4.9倍和15.9倍。此外,Pd單原子顯著提升了半導(dǎo)體載體的快速電荷分離和傳輸能力,這可以通過穩(wěn)態(tài)光致發(fā)光(PL)和光電流測量得到證實。原位紅外(FTIR)實驗證明了NH3和其他反應(yīng)中間體的存在,揭示了NH3的持續(xù)生成過程。此外,對氮氣吸附能、功函數(shù)和拉伸N≡N鍵長度的密度泛函理論(DFT)計算進一步表明了Pd/MoO3-x對N2的吸附和活化具有顯著效果。此外,吉布斯自由能的分析進一步證明了Pd/MoO3-x可以降低NRR過程的活化能壘。本研究不僅通過制備原子分散的單金屬活性位點,為在溫和條件下擴展高效的N2光固定系統(tǒng)提供了可靠的方法,而且還提供了pNRR催化過程的原子水平的理解。

相關(guān)研究成果以“Engineering of local electron properties optimization in single-atom catalysts enabling sustainable photocatalytic conversion of N2 into NH3"為題在《Chemical Engineering Journal》期刊上發(fā)表。韓冬雪教授,范英英副教授為該論文的通訊作者,碩士研究生劉天任和博士研究生張文生為該論文的共同第一作者。

 1.催化劑結(jié)構(gòu)表征 (a) Pd/MoO3-x光催化劑的制備示意圖。(b) Pd/MoO3-xSEM(c) TEM圖像。(d) MoO3結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖顯示了末端氧空位(O1c)、2配位O位點(O2c)和3配位O位點(O3c)的位置。HAADF-STEM 圖像(e)顯示了 Pd/MoO3-x 的暴露面。Pd/MoO3-x 的HAADF-STEM 圖像(f),白色圓圈突出顯示了原子分散的鈀原子。HAADF-STEM對應(yīng)的EDS能譜(g-j)顯示了 Mo Pd 的元素分布。

2. Mo 3d (a)、O1s (b) Pd 3d (c)Pd/MoO3-x XPS光譜。MoO3-x、Pd/MoO3-x和商業(yè)MoO3EPR光譜(d)和(eXRD 圖。(f) MoO3-x、Pd/MoO3-x 和商業(yè)MoO3的紫外-可見漫反射光譜。

3MoO3-x、Pd/MoO3-x和商業(yè)MoO3催化劑的(a)能帶結(jié)構(gòu)、(b) XPS 價帶 (VB) 光譜和(c)Tauc圖。

4 (a) MoO3-x、Pd/MoO3-x和商業(yè)MoO3催化劑的光催化固氮性能。(b) Pd/MoO3-x的光催化循環(huán)測試。(c) MoO3-x、Pd/MoO3-x和商業(yè)MoO3N2-TPD、(d) PL、(e) EIS、(f) 瞬態(tài)光電流響應(yīng)譜。(g)吸附在PdOVs位點上的N2的電子密度差。(h) MoO3-xPd/MoO3-xN2吸附能以及吸附N2N-N鍵的鍵長。

4 (a) MoO3-xPd/MoO3-x和商業(yè)MoO3催化劑的光催化固氮性能。(b) Pd/MoO3-x的光催化循環(huán)測試。(c) MoO3-x、Pd/MoO3-x和商業(yè)MoO3N2-TPD、(d) PL、(e) EIS、(f) 瞬態(tài)光電流響應(yīng)譜。(g)吸附在PdOVs位點上的N2的電子密度差。(h) MoO3-xPd/MoO3-xN2吸附能以及吸附N2N-N鍵的鍵長。


5. (a) MoO3-x(b) Pd/MoO3-x通過遠端締合途徑和交替締合途徑進行 pNRR 過程的部分吉布斯自由能圖。(c) MoO3-x Pd/MoO3-xN2光固化反應(yīng)能量圖。 (d)原位傅立葉變換紅外裝置圖。(e) Pd/MoO3-x催化劑在光催化N2固定過程中記錄的原位傅立葉變換紅外光譜。(f) Pd/MoO3-x上的反應(yīng)過程示意圖。



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